Morteza Nabavi, Maitham Shams et Mohamad Sawan
Communication écrite (2018)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: |
Polystim - Laboratoire de neurotechnologie GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/43187/ |
| Nom de la conférence: | International SoC Design Conference (ISOCC 2018) |
| Lieu de la conférence: | Daegu, South Korea |
| Date(s) de la conférence: | 2018-11-12 - 2018-11-15 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/isocc.2018.8649931 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/isocc.2018.8649931 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:03 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:41 |
| Citer en APA 7: | Nabavi, M., Shams, M., & Sawan, M. (novembre 2018). Temperature Independent Subthreshold Circuits Design [Communication écrite]. International SoC Design Conference (ISOCC 2018), Daegu, South Korea (2 pages). https://doi.org/10.1109/isocc.2018.8649931 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
