Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects

O. Hammi, Mohammad S. Sharawi et Fadhel M. Ghannouchi

Communication écrite (2013)

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URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/42341/
Nom de la conférence:	IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013)
Lieu de la conférence:	Beijing, China
Date(s) de la conférence:	2013-04-14 - 2013-04-18
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/ieee-iws.2013.6616813
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:39

Citer en APA 7:	Hammi, O., Sharawi, M. S., & Ghannouchi, F. M. (avril 2013). Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects [Communication écrite]. IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013), Beijing, China (4 pages). https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813
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