Oualid Hammi, Mohammad S. Sharawi, Fadhel M. Ghannouchi
Communication écrite (2013)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013)
Lieu de la conférence:
Beijing, China
Date(s) de la conférence:
2013-04-14 - 2013-04-18
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:42341
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:53
Citer en APA 7:
Hammi, O., Sharawi, M. S., & Ghannouchi, F. M. (avril 2013). Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects [Communication écrite]. IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013), Beijing, China (4 pages). https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813
Statistiques
Dimensions
