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Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects

O. Hammi, Mohammad S. Sharawi et Fadhel M. Ghannouchi

Communication écrite (2013)

Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal

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URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/42341/
Nom de la conférence: IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013)
Lieu de la conférence: Beijing, China
Date(s) de la conférence: 2013-04-14 - 2013-04-18
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/ieee-iws.2013.6616813
URL officielle: https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:09
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:28
Citer en APA 7: Hammi, O., Sharawi, M. S., & Ghannouchi, F. M. (avril 2013). Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects [Communication écrite]. IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013), Beijing, China (4 pages). https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813

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