O. Hammi, Mohammad S. Sharawi et Fadhel M. Ghannouchi
Communication écrite (2013)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/42341/ |
|---|---|
| Nom de la conférence: | IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013) |
| Lieu de la conférence: | Beijing, China |
| Date(s) de la conférence: | 2013-04-14 - 2013-04-18 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/ieee-iws.2013.6616813 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:09 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:28 |
| Citer en APA 7: | Hammi, O., Sharawi, M. S., & Ghannouchi, F. M. (avril 2013). Generalized twin-nonlinear two-box digital predistorter for GaN based LTE Doherty power amplifiers with strong memory effects [Communication écrite]. IEEE International Wireless Symposium (IWS 2013), Beijing, China (4 pages). https://doi.org/10.1109/ieee-iws.2013.6616813 |
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