K. Levasseur-Smith, Normand Mousseau
Article de revue (2008)
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Titre de la revue
:
European Physical Journal B
(
vol.
64
,
no
2
)
Maison d'édition:
Springer-Verlag
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41494
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Levasseur-Smith, K., & Mousseau, N. (2008). Ab initio study of the diffusion mechanisms of gallium in a silicon matrix. European Physical Journal B, 64(2), 165-172. https://doi.org/10.1140/epjb/e2008-00296-4
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