Ab initio study of the diffusion mechanisms of gallium in a silicon matrix

K. Levasseur-Smith et Normand Mousseau

Article de revue (2008)

Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal

Un lien externe est disponible pour ce document

URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41494/
Titre de la revue:	European Physical Journal B (vol. 64, no 2)
Maison d'édition:	Springer-Verlag
DOI:	10.1140/epjb/e2008-00296-4
URL officielle:	https://doi.org/10.1140/epjb/e2008-00296-4
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:	08 avr. 2025 07:05

Citer en APA 7:	Levasseur-Smith, K., & Mousseau, N. (2008). Ab initio study of the diffusion mechanisms of gallium in a silicon matrix. European Physical Journal B, 64(2), 165-172. https://doi.org/10.1140/epjb/e2008-00296-4
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel