G. T. Barkema et Normand Mousseau
Article de revue (1998)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41400/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Physical Review Letters (vol. 81, no 9) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevlett.81.1865 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevlett.81.1865 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Barkema, G. T., & Mousseau, N. (1998). Identification of relaxation and diffusion mechanisms in amorphous silicon. Physical Review Letters, 81(9), 1865-1868. https://doi.org/10.1103/physrevlett.81.1865 |
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