Incorporation of Si during vapor phase epitaxy of III-V compounds: evidence of an enthalpy-entropy compensation effect

Rémo A. Masut

Article de revue (2018)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41323/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 124, no 9)
Maison d'édition:	AIP Publishing
DOI:	10.1063/1.5031106
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.5031106
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:03
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:38

Citer en APA 7:	Masut, R. A. (2018). Incorporation of Si during vapor phase epitaxy of III-V compounds: evidence of an enthalpy-entropy compensation effect. Journal of Applied Physics, 124(9), 7 pages. https://doi.org/10.1063/1.5031106
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel