Article de revue (2018)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41323/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 124, no 9) |
| Maison d'édition: | AIP Publishing |
| DOI: | 10.1063/1.5031106 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.5031106 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:03 |
| Dernière modification: | 27 sept. 2024 09:41 |
| Citer en APA 7: | Masut, R. A. (2018). Incorporation of Si during vapor phase epitaxy of III-V compounds: evidence of an enthalpy-entropy compensation effect. Journal of Applied Physics, 124(9), 7 pages. https://doi.org/10.1063/1.5031106 |
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