Nicholas Salles, Nicholas Richard, Normand Mousseau
, Anne Hémeryck
Article de revue (2017)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Chemical Physics
(
vol.
147
,
no
5
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41322
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:04
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:51
Citer en APA 7:
Salles, N., Richard, N., Mousseau, N., & Hémeryck, A. (2017). Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique. Journal of Chemical Physics, 147(5), 054701 (9 pages). https://doi.org/10.1063/1.4996206
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