Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique

Nicholas Salles, Nicholas Richard, Normand Mousseau et Anne Hemeryck

Article de revue (2017)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de mathématiques et de génie industriel
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41322/
Titre de la revue:	Journal of Chemical Physics (vol. 147, no 5)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.4996206
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.4996206
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:04
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:38

Citer en APA 7:	Salles, N., Richard, N., Mousseau, N., & Hemeryck, A. (2017). Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique. Journal of Chemical Physics, 147(5), 054701 (9 pages). https://doi.org/10.1063/1.4996206
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document