Nicholas Salles, Nicholas Richard, Normand Mousseau et Anne Hemeryck
Article de revue (2017)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de mathématiques et de génie industriel |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41322/ |
Titre de la revue: | Journal of Chemical Physics (vol. 147, no 5) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.4996206 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.4996206 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:04 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:27 |
Citer en APA 7: | Salles, N., Richard, N., Mousseau, N., & Hemeryck, A. (2017). Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique. Journal of Chemical Physics, 147(5), 054701 (9 pages). https://doi.org/10.1063/1.4996206 |
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