Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique

Nicholas Salles, Nicholas Richard, Normand Mousseau et Anne Hémeryck

Article de revue (2017)

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Département:	Département de mathématiques et de génie industriel
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41322/
Titre de la revue:	Journal of Chemical Physics (vol. 147, no 5)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.4996206
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.4996206
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:04
Dernière modification:	11 sept. 2025 16:08

Citer en APA 7:	Salles, N., Richard, N., Mousseau, N., & Hémeryck, A. (2017). Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling density functional theory and activation relaxation technique. Journal of Chemical Physics, 147(5), 054701 (9 pages). https://doi.org/10.1063/1.4996206
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