Kevin Levasseur-Smith, Normand Mousseau
Article de revue (2008)
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
103
,
no
11
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41312
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:51
Citer en APA 7:
Levasseur-Smith, K., & Mousseau, N. (2008). Numerical characterization of the Ga interstitial self-diffusion mechanisms in GaAs. Journal of Applied Physics, 103(11), 113502 (5 pages). https://doi.org/10.1063/1.2936887
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