Kevin Levasseur-Smith et Normand Mousseau
Article de revue (2008)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
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Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 103, no 11) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.2936887 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2936887 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:38 |
Citer en APA 7: | Levasseur-Smith, K., & Mousseau, N. (2008). Numerical characterization of the Ga interstitial self-diffusion mechanisms in GaAs. Journal of Applied Physics, 103(11), 113502 (5 pages). https://doi.org/10.1063/1.2936887 |
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