Kevin Levasseur-Smith et Normand Mousseau
Article de revue (2008)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41312/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 103, no 11) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.2936887 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2936887 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Levasseur-Smith, K., & Mousseau, N. (2008). Numerical characterization of the Ga interstitial self-diffusion mechanisms in GaAs. Journal of Applied Physics, 103(11), 113502 (5 pages). https://doi.org/10.1063/1.2936887 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
