Fedwa El-Mellouhi et Normand Mousseau
Article de revue (2006)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
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Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 100, no 8) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.2360770 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2360770 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:17 |
Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:38 |
Citer en APA 7: | El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2006). Thermally activated charge reversibility of gallium vacancies in GaAs. Journal of Applied Physics, 100(8), 083521 (8 pages). https://doi.org/10.1063/1.2360770 |
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