Fedwa El-Mellouhi, Normand Mousseau
Article de revue (2006)
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Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
100
,
no
8
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41305
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:17
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:51
Citer en APA 7:
El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2006). Thermally activated charge reversibility of gallium vacancies in GaAs. Journal of Applied Physics, 100(8), 083521 (8 pages). https://doi.org/10.1063/1.2360770
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