Fedwa El-Mellouhi et Normand Mousseau
Article de revue (2006)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41305/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 100, no 8) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.2360770 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.2360770 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:17 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2006). Thermally activated charge reversibility of gallium vacancies in GaAs. Journal of Applied Physics, 100(8), 083521 (8 pages). https://doi.org/10.1063/1.2360770 |
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