Ab initio characterization of arsenic vacancy diffusion pathways in GaAs with SIEST-A-RT

F. El-Mellouhi et Normand Mousseau

Article de revue (2007)

Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal

Un lien externe est disponible pour ce document

URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41164/
Titre de la revue:	Applied Physics A-Materials Science & Processing (vol. 86, no 3)
Maison d'édition:	Springer
DOI:	10.1007/s00339-006-3761-3
URL officielle:	https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:37

Citer en APA 7:	El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2007). Ab initio characterization of arsenic vacancy diffusion pathways in GaAs with SIEST-A-RT. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 86(3), 309-312. https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel