F. El-Mellouhi, Normand Mousseau
Article de revue (2007)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics A-Materials Science & Processing
(
vol.
86
,
no
3
)
Maison d'édition:
Springer
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41164
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:51
Citer en APA 7:
El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2007). Ab initio characterization of arsenic vacancy diffusion pathways in GaAs with SIEST-A-RT. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 86(3), 309-312. https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3
Statistiques
Dimensions
