F. El-Mellouhi et Normand Mousseau
Article de revue (2007)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41164/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Applied Physics A-Materials Science & Processing (vol. 86, no 3) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1007/s00339-006-3761-3 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2007). Ab initio characterization of arsenic vacancy diffusion pathways in GaAs with SIEST-A-RT. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 86(3), 309-312. https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
