F. El-Mellouhi et Normand Mousseau
Article de revue (2007)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41164/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Applied Physics A-Materials Science & Processing (vol. 86, no 3) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1007/s00339-006-3761-3 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:16 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:27 |
| Citer en APA 7: | El-Mellouhi, F., & Mousseau, N. (2007). Ab initio characterization of arsenic vacancy diffusion pathways in GaAs with SIEST-A-RT. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 86(3), 309-312. https://doi.org/10.1007/s00339-006-3761-3 |
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