Tin Dioxide Electrolyte-Gated Transistors Working in Depletion and Enhancement Modes

Irina Valitova, Marta Maria Natile, Francesca Soavi, Clara Santato et Fabio Cicoira

Article de revue (2017)

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Département:	Département de génie chimique Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/38802/
Titre de la revue:	ACS Applied Materials & Interfaces (vol. 9, no 42)
Maison d'édition:	American Chemical Society (ACS)
DOI:	10.1021/acsami.7b09912
URL officielle:	https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:05
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:33

Citer en APA 7:	Valitova, I., Natile, M. M., Soavi, F., Santato, C., & Cicoira, F. (2017). Tin Dioxide Electrolyte-Gated Transistors Working in Depletion and Enhancement Modes. ACS Applied Materials & Interfaces, 9(42), 37013-37021. https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912
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