Tin Dioxide Electrolyte-Gated Transistors Working in Depletion and Enhancement Modes

Irina Valitova, Marta Maria Natile, Francesca Soavi, Clara Santato, Fabio Cicoira

Article de revue (2017)

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Département:
Département de génie chimique
Département de génie physique
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/38802/
Titre de la revue :
ACS Applied Materials & Interfaces ( vol. 9 , no 42 )
Maison d'édition:
American Chemical Society (ACS)
DOI:
10.1021/acsami.7b09912
URL officielle:
https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:38802
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:05
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:30
Citer en APA 7:
Valitova, I., Natile, M. M., Soavi, F., Santato, C., & Cicoira, F. (2017). Tin Dioxide Electrolyte-Gated Transistors Working in Depletion and Enhancement Modes. ACS Applied Materials & Interfaces, 9(42), 37013-37021. https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912

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