Irina Valitova, Marta Maria Natile, Francesca Soavi, Clara Santato
et Fabio Cicoira
Article de revue (2017)
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| Département: |
Département de génie chimique Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/38802/ |
| Titre de la revue: | ACS Applied Materials & Interfaces (vol. 9, no 42) |
| Maison d'édition: | American Chemical Society (ACS) |
| DOI: | 10.1021/acsami.7b09912 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:05 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:23 |
| Citer en APA 7: | Valitova, I., Natile, M. M., Soavi, F., Santato, C., & Cicoira, F. (2017). Tin Dioxide Electrolyte-Gated Transistors Working in Depletion and Enhancement Modes. ACS Applied Materials & Interfaces, 9(42), 37013-37021. https://doi.org/10.1021/acsami.7b09912 |
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