Electrical properties of a-SiOₓNy :H films prepared by microwave PECVD

P. Rabiller, Jolanta-Ewa Sapieha, Michael R. Wertheimer et Arthur Yelon

Communication écrite (1989)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/38210/
Nom de la conférence:	3rd International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics
Lieu de la conférence:	Trondheim, Norway
Date(s) de la conférence:	1989-07-03 - 1989-07-06
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/icsd.1989.69208
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/icsd.1989.69208
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:32

Citer en APA 7:	Rabiller, P., Sapieha, J.-E., Wertheimer, M. R., & Yelon, A. (juillet 1989). Electrical properties of a-SiOₓNy :H films prepared by microwave PECVD [Communication écrite]. 3rd International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, Trondheim, Norway. https://doi.org/10.1109/icsd.1989.69208
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