Philippe Rabiller, Jolanta-Ewa Sapieha, Michael R. Wertheimer
et Arthur Yelon
Communication écrite (1989)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/38210/ |
| Nom de la conférence: | 3rd International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics |
| Lieu de la conférence: | Trondheim, Norway |
| Date(s) de la conférence: | 1989-07-03 - 1989-07-06 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/icsd.1989.69208 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/icsd.1989.69208 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:01 |
| Citer en APA 7: | Rabiller, P., Sapieha, J.-E., Wertheimer, M. R., & Yelon, A. (juillet 1989). Electrical properties of a-SiOₓNy :H films prepared by microwave PECVD [Communication écrite]. 3rd International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, Trondheim, Norway. https://doi.org/10.1109/icsd.1989.69208 |
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