Mohammad Taherzadeh-Sani, Said M. Hussain Hussaini, Hamidreza Rezaee-Dehsorkh, Frédéric Nabki et Mohamad Sawan
Article de revue (2017)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/36508/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems (vol. 25, no 5) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/tvlsi.2017.2654452 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tvlsi.2017.2654452 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:05 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:20 |
| Citer en APA 7: | Taherzadeh-Sani, M., Hussain Hussaini, S. M., Rezaee-Dehsorkh, H., Nabki, F., & Sawan, M. (2017). A 170-dBΩ CMOS TIA with 52-pA input-referred noise and 1-MHz bandwidth for very low current sensing. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 25(5), 1756-1766. https://doi.org/10.1109/tvlsi.2017.2654452 |
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