M. Rezaei, E. Maghsoudloo, Mohamad Sawan
et B. Gosselin
Communication écrite (2016)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/36192/ |
| Nom de la conférence: | 38th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society (EMBC 2016) |
| Lieu de la conférence: | Orlando, Florida |
| Date(s) de la conférence: | 2016-08-16 - 2016-08-20 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/embc.2016.7592031 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/embc.2016.7592031 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:06 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:20 |
| Citer en APA 7: | Rezaei, M., Maghsoudloo, E., Sawan, M., & Gosselin, B. (août 2016). A 110-nW in-channel sigma-delta converter for large-scale neural recording implants [Communication écrite]. 38th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society (EMBC 2016), Orlando, Florida. https://doi.org/10.1109/embc.2016.7592031 |
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