P. Lussier, M. Bélanger, Michel Meunier
et John F. Currie
Article de revue (1989)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/35779/ |
| Titre de la revue: | Canadian Journal of Physics (vol. 67, no 4) |
| Maison d'édition: | Canadian Science Publishing |
| DOI: | 10.1139/p89-045 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1139/p89-045 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:19 |
| Citer en APA 7: | Lussier, P., Bélanger, M., Meunier, M., & Currie, J. F. (1989). CF₄-Ar reactive ion etching of gallium arsenide. Canadian Journal of Physics, 67(4), 259-261. https://doi.org/10.1139/p89-045 |
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