M. Kemp, C. G. Tannous et Michel Meunier
Article de revue (1988)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/35755/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Electron Devices (vol. 35, no 9) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/16.2584 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/16.2584 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:19 |
| Citer en APA 7: | Kemp, M., Tannous, C. G., & Meunier, M. (1988). Amorphous silicon device simulation by an adapted Gummel method. IEEE Transactions on Electron Devices, 35(9), 1510-1513. https://doi.org/10.1109/16.2584 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
