M. Kemp, Michel Meunier et C. G. Tannous
Article de revue (1989)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/35754/ |
Titre de la revue: | Solid-State Electronics (vol. 32, no 2) |
Maison d'édition: | Elsevier |
DOI: | 10.1016/0038-1101(89)90182-2 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1016/0038-1101%2889%2990182-2 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:19 |
Citer en APA 7: | Kemp, M., Meunier, M., & Tannous, C. G. (1989). Simulation of the amorphous silicon static induction transistor. Solid-State Electronics, 32(2), 149-157. https://doi.org/10.1016/0038-1101%2889%2990182-2 |
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