Clara Santato
, Giorgio Mattei, Wu Ruihua et Federico Mecarini
Article de revue (2004)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/33679/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 95, no 10) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1699506 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1699506 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:16 |
| Citer en APA 7: | Santato, C., Mattei, G., Ruihua, W., & Mecarini, F. (2004). In situ micro Raman investigation of the laser crystallization in Si thin films plasma enhanced chemical vapor deposition-grown from He-diluted SiH4. Journal of Applied Physics, 95(10), 5366-5372. https://doi.org/10.1063/1.1699506 |
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