C. A. Tran, J. T. Graham, J. L. Brebner et Rémo A. Masut
Article de revue (1994)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
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| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32798/ |
| Titre de la revue: | Journal of Electronic Materials (vol. 23, no 12) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1007/bf02649893 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1007/bf02649893 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 06:53 |
| Citer en APA 7: | Tran, C. A., Graham, J. T., Brebner, J. L., & Masut, R. A. (1994). Interfaces of InAsP/InP multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Electronic Materials, 23(12), 1291-1296. https://doi.org/10.1007/bf02649893 |
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