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Interfaces of InAsP/InP multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy

C. A. Tran, J. T. Graham, J. L. Brebner et Rémo A. Masut

Article de revue (1994)

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Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/32798/
Titre de la revue: Journal of Electronic Materials (vol. 23, no 12)
Maison d'édition: Springer
DOI: 10.1007/bf02649893
URL officielle: https://doi.org/10.1007/bf02649893
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:25
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:15
Citer en APA 7: Tran, C. A., Graham, J. T., Brebner, J. L., & Masut, R. A. (1994). Interfaces of InAsP/InP multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Electronic Materials, 23(12), 1291-1296. https://doi.org/10.1007/bf02649893

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