C. A. Tran, J. T. Graham, J. L. Brebner et Rémo A. Masut
Article de revue (1994)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
---|---|
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32798/ |
Titre de la revue: | Journal of Electronic Materials (vol. 23, no 12) |
Maison d'édition: | Springer |
DOI: | 10.1007/bf02649893 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1007/bf02649893 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:15 |
Citer en APA 7: | Tran, C. A., Graham, J. T., Brebner, J. L., & Masut, R. A. (1994). Interfaces of InAsP/InP multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Electronic Materials, 23(12), 1291-1296. https://doi.org/10.1007/bf02649893 |
---|---|
Statistiques
Dimensions