R. Hajji, S. El-Rabaie, A. B. Kouki et Fadhel M. Ghannouchi
Article de revue (1995)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32194/ |
| Titre de la revue: | IEE Proceedings: Microwaves, Antennas and Propagation (vol. 142, no 5) |
| Maison d'édition: | IET |
| DOI: | 10.1049/ip-map:19952113 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1049/ip-map%3a19952113 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:14 |
| Citer en APA 7: | Hajji, R., El-Rabaie, S., Kouki, A. B., & Ghannouchi, F. M. (1995). Large-signal temperature-dependent DC model for heterojunction bipolar transistors. IEE Proceedings: Microwaves, Antennas and Propagation, 142(5), 417-419. https://doi.org/10.1049/ip-map%3a19952113 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
