Seppo Honkanen, Tomoko Ohtsuki, Shibin Jiang, S. Iraj Najafi et Nasser Peyghambarian
Communication écrite (1997)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30401/ |
| Nom de la conférence: | Rare-earth-doped devices. Conference |
| Lieu de la conférence: | San Jose, CA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1997-02-10 |
| Maison d'édition: | SPIE - International Society for Optical Engineering |
| DOI: | 10.1117/12.271162 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1117/12.271162 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:19 |
| Citer en APA 7: | Honkanen, S., Ohtsuki, T., Jiang, S., Najafi, S. I., & Peyghambarian, N. (février 1997). High Er concentration phosphate glasses for planar waveguide amplifiers [Communication écrite]. Rare-earth-doped devices. Conference, San Jose, CA, USA. https://doi.org/10.1117/12.271162 |
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