Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF₆ and SiH₄

Malek Tabbal, Michel Meunier, Ricardo Izquierdo, Bénédicte Beau et Arthur Yelon

Article de revue (1997)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/30040/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 81, no 10)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.365199
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.365199
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:11

Citer en APA 7:	Tabbal, M., Meunier, M., Izquierdo, R., Beau, B., & Yelon, A. (1997). Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF₆ and SiH₄. Journal of Applied Physics, 81(10), 6607-6611. https://doi.org/10.1063/1.365199
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel