Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF₆ and SiH₄

Tabbal, Malek; Meunier, Michel; Izquierdo, Ricardo; Beau, Bénédicte; Yelon, Arthur; Tabbal, Malek; Meunier, Michel; Izquierdo, Ricardo; Beau, Bénédicte; Yelon, Arthur

Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF₆ and SiH₄

Malek Tabbal, Michel Meunier , Ricardo Izquierdo, Bénédicte Beau, Arthur Yelon

Article de revue (1997)

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Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/30040/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 81 , no 10 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.365199

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.365199

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:30040

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:23

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:16

Citer en APA 7:

Tabbal, M., Meunier, M., Izquierdo, R., Beau, B., & Yelon, A. (1997). Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF₆ and SiH₄. Journal of Applied Physics, 81(10), 6607-6611. https://doi.org/10.1063/1.365199

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