Study of Microstructure of High Stability Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Raman Scattering and Infrared Absorption Spectroscopy

Shu Ran Sheng, X. B. Liao, G. L. Kong, H. X. Han

Article de revue (1998)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Applied Physics Letters ( vol. 73 , no 3 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29326
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:06
Citer en APA 7:
Sheng, S. R., Liao, X. B., Kong, G. L., & Han, H. X. (1998). Study of Microstructure of High Stability Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Raman Scattering and Infrared Absorption Spectroscopy. Applied Physics Letters, 73(3), 336-338. https://doi.org/10.1063/1.121826

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