Shu Ran Sheng, X. B. Liao, G. L. Kong et H. X. Han
Article de revue (1998)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29326/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 73, no 3) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.121826 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.121826 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:10 |
| Citer en APA 7: | Sheng, S. R., Liao, X. B., Kong, G. L., & Han, H. X. (1998). Study of Microstructure of High Stability Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Raman Scattering and Infrared Absorption Spectroscopy. Applied Physics Letters, 73(3), 336-338. https://doi.org/10.1063/1.121826 |
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