Rapid Relaxation and Electronic Properties of a-Si : H

Wen Chao Chen, Mathieu Kemp, Louis-André Hamel, Arthur Yelon

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Journal of Non-Crystalline Solids ( vol. 277 , no 2-3 )
Maison d'édition:
Elsevier
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28275
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:04
Citer en APA 7:
Chen, W. C., Kemp, M., Hamel, L.-A., & Yelon, A. (2000). Rapid Relaxation and Electronic Properties of a-Si : H. Journal of Non-Crystalline Solids, 277(2-3), 219-224. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2800%2900317-3

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