Wen Chao Chen, Mathieu Kemp, Louis-André Hamel et Arthur Yelon
Article de revue (2000)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28275/ |
| Titre de la revue: | Journal of Non-Crystalline Solids (vol. 277, no 2-3) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/s0022-3093(00)00317-3 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2800%2900317-3 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:09 |
| Citer en APA 7: | Chen, W. C., Kemp, M., Hamel, L.-A., & Yelon, A. (2000). Rapid Relaxation and Electronic Properties of a-Si : H. Journal of Non-Crystalline Solids, 277(2-3), 219-224. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2800%2900317-3 |
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