Model of Charge Migration During Thermal Poling in Silica Glasses: Evidence of a Voltage Threshold for the Onset of a Second-Order Nonlinearity

Yves Quiquempois, Nicolas Godbout et Suzanne Lacroix

Article de revue (2002)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/26343/
Titre de la revue:	Physical Review A (vol. 65, no 4)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physreva.65.043816
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physreva.65.043816
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:13

Citer en APA 7:	Quiquempois, Y., Godbout, N., & Lacroix, S. (2002). Model of Charge Migration During Thermal Poling in Silica Glasses: Evidence of a Voltage Threshold for the Onset of a Second-Order Nonlinearity. Physical Review A, 65(4), 043816-043816. https://doi.org/10.1103/physreva.65.043816
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