Remote Hydrogen-Nitrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From a Tetramethyldisilazane Source. Part 1. Mechanism of the Process, Structure and Surface Morphology of Deposited Amorphous Hydrogenated Silicon Carbonitride Films

A. M. Wróbel, I. Blaszczyk, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, A. Tracz, Jolanta-Ewa Sapieha, T. Aoki, Y. Hatanaka

Article de revue (2003)

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Organismes subventionnaires:
Polish State Committee for Scientific Research (KBN)
Numéro de subvention:
7T08C03118
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Journal of Materials Chemistry ( vol. 13 , no 4 )
Maison d'édition:
The Royal Society of Chemistry
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:25411
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:00
Citer en APA 7:
Wróbel, A. M., Blaszczyk, I., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Tracz, A., Sapieha, J.-E., Aoki, T., & Hatanaka, Y. (2003). Remote Hydrogen-Nitrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From a Tetramethyldisilazane Source. Part 1. Mechanism of the Process, Structure and Surface Morphology of Deposited Amorphous Hydrogenated Silicon Carbonitride Films. Journal of Materials Chemistry, 13(4), 731-737. https://doi.org/10.1039/b211415c

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