Remote Hydrogen-Nitrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From a Tetramethyldisilazane Source. Part 1. Mechanism of the Process, Structure and Surface Morphology of Deposited Amorphous Hydrogenated Silicon Carbonitride Films

A. M. Wróbel, I. Blaszczyk, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, A. Tracz, Jolanta-Ewa Sapieha, T. Aoki et Y. Hatanaka

Article de revue (2003)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/25411/
Titre de la revue:	Journal of Materials Chemistry (vol. 13, no 4)
Maison d'édition:	The Royal Society of Chemistry
DOI:	10.1039/b211415c
URL officielle:	https://doi.org/10.1039/b211415c
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:	08 avr. 2025 02:14

Citer en APA 7:

Wróbel, A. M., Blaszczyk, I., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Tracz, A., Sapieha, J.-E., Aoki, T., & Hatanaka, Y. (2003). Remote Hydrogen-Nitrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From a Tetramethyldisilazane Source. Part 1. Mechanism of the Process, Structure and Surface Morphology of Deposited Amorphous Hydrogenated Silicon Carbonitride Films. Journal of Materials Chemistry, 13(4), 731-737. https://doi.org/10.1039/b211415c

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