Remote Hydrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From (Dimethylsilyl)(Trimethylsilyl)Methane. 1. Kinetics of the Process; Chemical and Morphological Structure of Deposited Silicon-Carbon Films

A. M. Wróbel, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, Jolanta-Ewa Sapieha, Y. Nakanishi, Toru Aoki, Yoshinori Hatanaka

Article de revue (2003)

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Titre de la revue :
Chemistry of Materials ( vol. 15 , no 8 )
Maison d'édition:
American Chemical Society (ACS)
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:25409
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Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:00
Citer en APA 7:
Wróbel, A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Sapieha, J.-E., Nakanishi, Y., Aoki, T., & Hatanaka, Y. (2003). Remote Hydrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From (Dimethylsilyl)(Trimethylsilyl)Methane. 1. Kinetics of the Process; Chemical and Morphological Structure of Deposited Silicon-Carbon Films. Chemistry of Materials, 15(8), 1749-1756. https://doi.org/10.1021/cm021250c

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