Remote Hydrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From (Dimethylsilyl)(Trimethylsilyl)Methane. 1. Kinetics of the Process; Chemical and Morphological Structure of Deposited Silicon-Carbon Films

A. M. Wróbel, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, Jolanta-Ewa Sapieha, Y. Nakanishi, T. Aoki et Y. Hatanaka

Article de revue (2003)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/25409/
Titre de la revue:	Chemistry of Materials (vol. 15, no 8)
Maison d'édition:	American Chemical Society (ACS)
DOI:	10.1021/cm021250c
URL officielle:	https://doi.org/10.1021/cm021250c
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:05

Citer en APA 7:	Wróbel, A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Sapieha, J.-E., Nakanishi, Y., Aoki, T., & Hatanaka, Y. (2003). Remote Hydrogen Plasma Chemical Vapor Deposition From (Dimethylsilyl)(Trimethylsilyl)Methane. 1. Kinetics of the Process; Chemical and Morphological Structure of Deposited Silicon-Carbon Films. Chemistry of Materials, 15(8), 1749-1756. https://doi.org/10.1021/cm021250c
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