2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching

Y. Liao, J.-Y. Degorce, J. Belisle et Michel Meunier

Article de revue (2006)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/22833/
Titre de la revue:	Journal of The Electrochemical Society (vol. 153, no 1)
Maison d'édition:	The Electrochemical Society
DOI:	10.1149/1.2128099
URL officielle:	https://doi.org/10.1149/1.2128099
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:17
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:07

Citer en APA 7:	Liao, Y., Degorce, J.-Y., Belisle, J., & Meunier, M. (2006). 2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching. Journal of The Electrochemical Society, 153(1), 16-22. https://doi.org/10.1149/1.2128099
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel