2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching

Liao, Y.; Degorce, J.-Y.; Belisle, J.; Meunier, Michel; Liao, Y.; Degorce, J.-Y.; Belisle, J.; Meunier, Michel

2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching

Y. Liao, J.-Y. Degorce, J. Belisle, Michel Meunier

Article de revue (2006)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/22833/

Titre de la revue :

Journal of The Electrochemical Society ( vol. 153 , no 1 )

Maison d'édition:

The Electrochemical Society

DOI:

10.1149/1.2128099

URL officielle:

https://doi.org/10.1149/1.2128099

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:22833

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:17

Dernière modification:

14 oct. 2026 12:56

Citer en APA 7:

Liao, Y., Degorce, J.-Y., Belisle, J., & Meunier, M. (2006). 2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching. Journal of The Electrochemical Society, 153(1), 16-22. https://doi.org/10.1149/1.2128099

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