Y. Liao, J.-Y. Degorce, J. Belisle et Michel Meunier
Article de revue (2006)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/22833/ |
| Titre de la revue: | Journal of The Electrochemical Society (vol. 153, no 1) |
| Maison d'édition: | The Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/1.2128099 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/1.2128099 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:17 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:02 |
| Citer en APA 7: | Liao, Y., Degorce, J.-Y., Belisle, J., & Meunier, M. (2006). 2D dopant determination in laser-diffused Si resistors using dopant-selective etching. Journal of The Electrochemical Society, 153(1), 16-22. https://doi.org/10.1149/1.2128099 |
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