O. Vigil-Galan, F. Cruz-Gandarilla, J. Fandio, Frédéric Roy, J. Sastre-Hernandez et G. Contreras-Puente
Article de revue (2009)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie mécanique |
---|---|
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/18830/ |
Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 24, no 2) |
Maison d'édition: | IOP Publishing |
DOI: | 10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:56 |
Citer en APA 7: | Vigil-Galan, O., Cruz-Gandarilla, F., Fandio, J., Roy, F., Sastre-Hernandez, J., & Contreras-Puente, G. (2009). Physical properties of Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ films deposited by close space vapor transport. Semiconductor Science and Technology, 24(2). https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
---|---|
Statistiques
Dimensions