O. Vigil-Galan, F. Cruz-Gandarilla, J. Fandio, Frédéric Roy, J. Sastre-Hernandez et G. Contreras-Puente
Article de revue (2009)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie mécanique |
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/18830/ |
| Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 24, no 2) |
| Maison d'édition: | IOP Publishing |
| DOI: | 10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:05 |
| Citer en APA 7: | Vigil-Galan, O., Cruz-Gandarilla, F., Fandio, J., Roy, F., Sastre-Hernandez, J., & Contreras-Puente, G. (2009). Physical properties of Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ films deposited by close space vapor transport. Semiconductor Science and Technology, 24(2). https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/2/025025 |
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