Robert Chebli, Mohamad Sawan
, Kamal El-Sankary et Yvon Savaria
Article de revue (2010)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/18509/ |
| Titre de la revue: | Analog Integrated Circuits and Signal Processing (vol. 62, no 2) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1007/s10470-009-9363-1 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1007/s10470-009-9363-1 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:13 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:00 |
| Citer en APA 7: | Chebli, R., Sawan, M., El-Sankary, K., & Savaria, Y. (2010). High-voltage DMOS integrated circuits using floating-gate protection technique. Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 62(2), 223-235. https://doi.org/10.1007/s10470-009-9363-1 |
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