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Effect of parasitic capacitance on GMI magnetic sensor performance

Sebastien Saez, Basile Dufay, Christophe Dolabdjian, Arthur Yelon et David Ménard

Communication écrite (2012)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/13171/
Nom de la conférence: 2nd International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers (IC-MAST 2012)
Lieu de la conférence: Budapest, Hungary
Date(s) de la conférence: 2012-05-24 - 2012-05-28
Titre de la revue: Key Engineering Materials (vol. 543)
Maison d'édition: Trans Tech Publications Ltd.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.543.261
URL officielle: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.543...
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:10
Dernière modification: 05 avr. 2024 10:52
Citer en APA 7: Saez, S., Dufay, B., Dolabdjian, C., Yelon, A., & Ménard, D. (mai 2012). Effect of parasitic capacitance on GMI magnetic sensor performance [Communication écrite]. 2nd International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers (IC-MAST 2012), Budapest, Hungary. Publié dans Key Engineering Materials, 543. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.543.261

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