Zhebin Wang, David Dousset, Shengjie Gao et Chan-Wang Park
Communication écrite (2013)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie électrique |
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| Centre de recherche: | POLY-GRAMES - Centre de recherche avancée en micro-ondes et en électronique spatiale |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12969/ |
| Nom de la conférence: | IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2013) |
| Lieu de la conférence: | Seattle, Wash., USA |
| Date(s) de la conférence: | 2013-06-02 - 2013-06-07 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/mwsym.2013.6697499 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/mwsym.2013.6697499 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:10 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:49 |
| Citer en APA 7: | Wang, Z., Dousset, D., Gao, S., & Park, C.-W. (juin 2013). High power added efficiency half mode substrate integrated waveguide power amplifier with the second harmonic suppressed [Communication écrite]. IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2013), Seattle, Wash., USA (3 pages). https://doi.org/10.1109/mwsym.2013.6697499 |
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