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Tuning the Electronic Properties of a Boron-Doped Si(111) Surface by Self-Assembling of Trimesic Acid

Farzaneh Shayeganfar et Alain Rochefort

Article de revue (2015)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/10922/
Titre de la revue: Journal of Physical Chemistry C (vol. 119, no 27)
Maison d'édition: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b04307
URL officielle: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b04307
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:07
Dernière modification: 27 sept. 2024 09:45
Citer en APA 7: Shayeganfar, F., & Rochefort, A. (2015). Tuning the Electronic Properties of a Boron-Doped Si(111) Surface by Self-Assembling of Trimesic Acid. Journal of Physical Chemistry C, 119(27), 15742-15748. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b04307

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