Documents publiés en "2022"

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Département de génie physique

Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). Lien externe

Atalla, M., Assali, S., Koelling, S., Daligou, G. T. E. G., Attiaoui, A., Luo, L., Lemieux-Leduc, C., Abdi, S., & Moutanabbir, O. (mai 2022). Mid-infrared silicon-integrated high-bandwidth GeSn PIN photodetectors and LEDs [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2022), San José, CA, USA (2 pages). Lien externe

Attiaoui, A., Assali, S., Luo, L., Daligou, G. T. E. G., Atalla, M., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (juillet 2022). Group-IV GeSn nanophotonics [Communication écrite]. IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series (SUM 2022), Cabo San Lucas, Mexico (2 pages). Lien externe

Luo, L., Assali, S., Atalla, M. R. M., Koelling, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Martí, S., Arbiol, J., & Moutanabbir, O. (2022). Extended-SWIR photodetection in all-Group IV core/shell nanowires. ACS Photonics, 9(3), 914-921. Lien externe

Perla, P., Faustmann, A., Koelling, S., Zellekens, P., Deacon, R., Fonseka, H. A., Kölzer, J., Sato, Y., Sánchez, A. M., Moutanabbir, O., Ishibashi, K., Grützmacher, D., Lepsa, M. I., & Schäpers, T. (2022). Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices. Physical Review Materials, 6(2), 024602 (9 pages). Lien externe

Perla, P., Faustmann, A., Koelling, S., Zellekens, P., Deacon, R., Fonseka, H. A., Kölzer, J., Sato, Y., Sanchez, A. M., Moutanabbir, O., Ishibashi, K., Grützmacher, D., Lepsa, M. I., & Schäpers, T. (2022). Data for: Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices [Ensemble de données]. Lien externe

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