Documents publiés en "2019"

Département de génie physique

H. Eliassen, S. N., Friis, J., Ringdalen, I. G., Mousseau, N., Trochet, M., & Li, Y. (2019). Atomistic approach to simulate kink migration and kink-pair formation in silicon: The kinetic activation-relaxation technique. Physical review. B, 100(15), 155305 (11 pages). Lien externe