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Département de génie électrique

Abubakr, A., Hassan, A., Ragab, A., Yacout, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (mai 2018). High-temperature modeling of the I-V characteristics of GaN150 HEMT using machine learning techniques [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018), Florence, Italie (5 pages). Lien externe

Département de mathématiques et de génie industriel

Abubakr, A., Hassan, A., Ragab, A., Yacout, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (mai 2018). High-temperature modeling of the I-V characteristics of GaN150 HEMT using machine learning techniques [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018), Florence, Italie (5 pages). Lien externe

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